M29DW323 M29DW323DT70N6 माइक्रोन फ्लैश NOR मेमोरी इंटीग्रेटेड सर्किट IC TSOP48 इलेक्ट्रॉनिक अवयव
M29DW323DT70N6E माइक्रोनM29DW323FLASH NOR मेमोरी इंटीग्रेटेड सर्किट IC TSOP48 इलेक्ट्रॉनिक अवयव
-M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 या 2Mb x16, डुअल बैंक 8:24, बूट ब्लॉक) 3V आपूर्ति फ्लैश मेमोरी
M29DW323D एक 32 Mbit (4Mb x8 या 2Mb x16) गैर-वाष्पशील मेमोरी है जिसे पढ़ा, मिटाया और पुन: प्रोग्राम किया जा सकता है।ये ऑपरेशन सिंगल लो वोल्टेज (2.7 से 3.6V) सप्लाई का इस्तेमाल करके किए जा सकते हैं।पावर-अप पर मेमोरी अपने रीड मोड में डिफॉल्ट हो जाती है।डिवाइस में एक एसिमेट्रिकल ब्लॉक आर्किटेक्चर है।M29DW323D में 8 पैरामीटर और 63 मुख्य ब्लॉकों की एक सरणी है और इसे दो बैंकों, A और B में विभाजित किया गया है, जो दोहरे बैंक संचालन प्रदान करता है।बैंक ए में प्रोग्रामिंग या मिटाते समय, बैंक बी में रीड ऑपरेशन संभव है और इसके विपरीत।एक समय में केवल एक बैंक को प्रोग्राम या इरेज़ मोड में रहने की अनुमति है।
M29DW323D में एक अतिरिक्त 32 KWord (x16 मोड) या 64 KByte (x8 मोड) ब्लॉक, विस्तारित ब्लॉक है, जिसे एक समर्पित कमांड का उपयोग करके एक्सेस किया जा सकता है।विस्तारित ब्लॉक को संरक्षित किया जा सकता है और इसलिए सुरक्षा जानकारी संग्रहीत करने के लिए उपयोगी है।
हालाँकि सुरक्षा अपरिवर्तनीय है, एक बार संरक्षित हो जाने पर सुरक्षा पूर्ववत नहीं की जा सकती है
.प्रत्येक ब्लॉक को स्वतंत्र रूप से मिटाया जा सकता है ताकि पुराने डेटा मिटाए जाने पर वैध डेटा को संरक्षित करना संभव हो।
आकस्मिक प्रोग्राम को रोकने के लिए या स्मृति को संशोधित करने से आदेशों को मिटाने के लिए ब्लॉकों को संरक्षित किया जा सकता है।
प्रोग्राम और इरेज़ कमांड मेमोरी के कमांड इंटरफेस में लिखे जाते हैं।
एक ऑन-चिप प्रोग्राम/इरेज़ कंट्रोलर स्मृति सामग्री को अद्यतन करने के लिए आवश्यक सभी विशेष कार्यों का ख्याल रखते हुए प्रोग्रामिंग या स्मृति को मिटाने की प्रक्रिया को सरल बनाता है।
किसी प्रोग्राम के अंत या इरेज़ ऑपरेशन का पता लगाया जा सकता है और किसी भी त्रुटि की स्थिति की पहचान की जा सकती है।
मेमोरी को नियंत्रित करने के लिए आवश्यक कमांड सेट JEDEC मानकों के अनुरूप है।
चिप सक्षम करें, आउटपुट सक्षम करें और लिखें सक्षम करें सिग्नल मेमोरी के बस संचालन को नियंत्रित करते हैं।
वे अधिकांश माइक्रोप्रोसेसरों के लिए सरल कनेक्शन की अनुमति देते हैं, अक्सर अतिरिक्त तर्क के बिना।
मेमोरी को TSOP48 (12x20mm), और TFBGA48 (6x8mm, 0.8mm पिच) पैकेज में पेश किया गया है।
विशेषताएं सारांश:
वोल्टेज आपूर्ति
- VCC = 2.7V से 3.6V प्रोग्राम के लिए, मिटाएं और पढ़ें
- फास्ट प्रोग्राम के लिए वीपीपी = 12 वी (वैकल्पिक)
पहुंच समय: 70ns
प्रोग्रामिंग समय
- 10µs प्रति बाइट/शब्द विशिष्ट
- डबल वर्ड/क्वाड्रपल बाइट प्रोग्राम
मेमोरी ब्लॉक
- डुअल बैंक मेमोरी ऐरे: 8Mbit+24Mbit
- पैरामीटर ब्लॉक (ऊपर या नीचे का स्थान)
दोहरे संचालन
- प्रोग्राम के दौरान एक बैंक में पढ़ें या दूसरे में मिटाएं
सस्पेंड और रिज्यूमे मोड मिटाएं
- सस्पेंड मिटाएं के दौरान एक और ब्लॉक पढ़ें और प्रोग्राम करें
अनलॉक बायपास प्रोग्राम कमांड
- तेज उत्पादन/बैच प्रोग्रामिंग
फास्ट प्रोग्राम और राइट प्रोटेक्ट के लिए वीपीपी/डब्ल्यूपी पिन
„ अस्थायी ब्लॉक सुरक्षा मोड
„ आम फ्लैश इंटरफेस- 64 बिट सुरक्षा कोड
„ विस्तारित मेमोरी ब्लॉक
- अतिरिक्त ब्लॉक का उपयोग सुरक्षा ब्लॉक के रूप में या अतिरिक्त जानकारी संग्रहीत करने के लिए किया जाता है
„ कम बिजली की खपत- स्टैंडबाय और स्वचालित स्टैंडबाय
100,000 कार्यक्रम/हर ब्लॉक प्रति चक्र मिटाएं
" इलेक्ट्रॉनिक हस्ताक्षर
- निर्माता कोड: 0020h
- टॉप डिवाइस कोड M29DW323DT: 225Eh
- बॉटम डिवाइस कोड M29DW323DB:225Fh
आईसी फ्लैश 32 एमबीआईटी समानांतर 48TSOP-M29DW323DT70N6E विशिष्टता:
श्रेणी | बिजली के उपकरण |
उपश्रेणी
|
एकीकृत सर्किट (आईसी)
|
श्रृंखला
|
स्मृति
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एमएफआर
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माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
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पैकेज
|
ट्रे
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भाग की स्थिति
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अप्रचलित
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मेमोरी प्रकार
|
गैर वाष्पशील
|
मेमोरी प्रारूप
|
CHAMAK
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प्रौद्योगिकी
|
फ्लैश - नोर
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मेमोरी का आकार
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32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16)
|
मेमोरी इंटरफ़ेस
|
समानांतर
|
साइकिल समय लिखें - शब्द, पृष्ठ
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70ns
|
पहूंच समय
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70 एनएस
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वोल्टेज आपूर्ति
|
2.7 वी ~ 3.6 वी
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परिचालन तापमान
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-40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीए)
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माउन्टिंग का प्रकार
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माउंट सतह
|
पैकेज / केस
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48-टीएफएसओपी (0.724", 18.40 मिमी चौड़ाई)
|
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
|
48-टीएसओपी
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आधार उत्पाद संख्या
|
M29DW323
|
संबंधित उत्पाद संख्या:
एमएफआर भाग # | प्रौद्योगिकी | मेमोरी का आकार | डिवाइस पैकेज |
M29DW323DB70N6F TR | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DT70N6F TR | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DB5AN6F TR | फ्लैश - नोर | 256एमबी (16एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DB70N3E | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DB70N6E | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DB70ZE6E | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएफबीजीए (6x8) |
M29DW323DB70ZE6F TR | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएफबीजीए (6x8) |
M29DW323DB7AN6F TR | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DT70ZE6F TR | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएफबीजीए (6x8) |
M29DW323DT70ZE6E | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएफबीजीए (6x8) |
M29DW323DT70N6E | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DB70N6E | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
M29DW323DB70N6 | फ्लैश - नोर | 32एमबी (4एम x 8, 2एम x 16) | 48-टीएसओपी |
आदेश की जानकारी:
माइक्रोन प्रौद्योगिकी के बारे में
माइक्रोन अभिनव स्मृति और भंडारण समाधान बनाता है जो आज की सबसे महत्वपूर्ण और विघटनकारी प्रौद्योगिकी सफलताओं को चलाने में मदद कर रहा है, जैसे कि कृत्रिम बुद्धिमत्ता, इंटरनेट ऑफ थिंग्स, सेल्फ-ड्राइविंग कार, व्यक्तिगत दवा-यहां तक कि अंतरिक्ष की खोज। डेटा एकत्र करने, संग्रहीत करने और प्रबंधित करने के तेज़ और अधिक कुशल तरीकों का नेतृत्व करके, वे दुनिया के संचार, सीखने और आगे बढ़ने के तरीके में क्रांतिकारी बदलाव और सुधार करने में मदद कर रहे हैं।
माइक्रोन प्रौद्योगिकी उत्पाद श्रेणियाँ:
एकीकृत सर्किट (आईसी)
मेमोरी कार्ड, मॉड्यूल
Optoelectronics
संदर्भ के लिए छवि:
पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण
गुण | विवरण |
---|---|
RoHS स्थिति | आरओएचएस3 आज्ञाकारी |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 3 (168 घंटे) |
पहुंच स्थिति | पहुंच अप्रभावित |
ईसीसीएन | 3ए991बी1ए |
एचटीएसयूएस | 8542.32.0071 |
सबस्टिट्यूट्स इंटीग्रेटेड सर्किट्स आईसी पार्ट नंबर:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
हम स्मृति और भंडारण प्रौद्योगिकियों के उद्योग के व्यापक पोर्टफोलियो को बेचते हैं: DRAM, NAND, और NOR मेमोरी आईसी।करीबी उद्योग साझेदारी और स्मृति समाधान विशेषज्ञता के साथ, हमारी अनूठी अंतर्दृष्टि हमें आपकी सबसे चुनौतीपूर्ण जरूरतों को पूरा करने की क्षमता देती है।
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MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
MT28EW128ABA1LPN-0SIT |